ABB | 3BHL000390P0104 5SHX1960L0004 | MODULE IGCT

Description du produit: 

La technologie IGCT applique deux niveaux d'intégration : monolithique sur le wafer et l'hybride pour la périphérie du GCT.
Dans de nombreux cas, l'anti-parallèle les diodes peuvent être intégrées de manière monolithique . Cela élimine la pile de diodes et associés connexions à courant fort.
Une intégration de ce type ne devient irréalisable qu'aux courants les plus élevés et le GCT et la diode doivent rester séparés. L'intégration hybride permet d'obtenir un mélange plus étroit du GCT, de l'unité d'entraînement et du refroidisseur. Les synergies de la construction mécanique produisent des avantages en termes de taille réduite, de stabilité accrue et de coût réduit. Chaque segment de la plaquette, dont une unité de 3 kA en compte plus de 2000, "sait" quand il doit commuter et exécute la commande correspondante indépendamment des autres. Etant donné que tous les segments répondent exactement de la même manière, un fonctionnement parallèle optimal est obtenu et la capacité de commutation varie proportionnellement à la surface de la plaquette. Il est donc relativement simple de développer une famille de dispositifs GCT convenablement graduée.

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